组织记忆对在位企业破坏性创新的影响机制研究

史丽萍; 唐书林; 苑婧婷

doi:10.6049/kjjbydc.2012080523

科技进步与对策 >

2013 , Vol. 30 >Issue 5: 85 - 89

DOI: https://doi.org/10.6049/kjjbydc.2012080523

企业创新管理

组织记忆对在位企业破坏性创新的影响机制研究

史丽萍 ,
唐书林 ,
苑婧婷

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哈尔滨工程大学经济管理学院，黑龙江哈尔滨 150001

收稿日期: 2012-11-07

修回日期: 1900-01-01

网络出版日期: 2013-03-10

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摘要

大量实践表明，在位企业会出现破坏性创新和维持性创新共存的现象。以“突触”为原型建立了在位企业的破坏性创新双通道突触模型，该模型较好地描述了在位企业两种创新之间的竞争机制。以双通道突触模型为基础，分析了组织长时记忆和组织交互记忆的运行过程，构建了在位企业的组织记忆模型，并指出组织记忆对在位企业破坏性创新的影响，最后提出了在位企业克服组织记忆的措施，以增加破坏性创新的成功几率。

关键词： 破坏性创新; 在位企业; 组织记忆; 长时记忆; 交互记忆

本文引用格式

史丽萍 , 唐书林 , 苑婧婷 . 组织记忆对在位企业破坏性创新的影响机制研究[J]. 科技进步与对策, 2013 , 30(5) : 85 -89 . DOI: 10.6049/kjjbydc.2012080523

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