%A 史丽萍;唐书林;苑婧婷 %T 组织记忆对在位企业破坏性创新的影响机制研究 %0 Journal Article %D 2013 %J 科技进步与对策 %R 10.6049/kjjbydc.2012080523 %P 85-89 %V 30 %N 5 %U {http://www.kjjb.org/CN/abstract/article_6387.shtml} %8 2013-03-10 %X 大量实践表明,在位企业会出现破坏性创新和维持性创新共存的现象。以“突触”为原型建立了在位企业的破坏性创新双通道突触模型,该模型较好地描述了在位企业两种创新之间的竞争机制。以双通道突触模型为基础,分析了组织长时记忆和组织交互记忆的运行过程,构建了在位企业的组织记忆模型,并指出组织记忆对在位企业破坏性创新的影响,最后提出了在位企业克服组织记忆的措施,以增加破坏性创新的成功几率。